光刻機的波長越小，就代表著光源越細，光刻電路也會越細，芯片的技術製程才能推進一大步。
“目前，行業內一共有兩種技術路線，尼康、佳能這些老牌公司，主張使用157納米的氟氣準分子激光作為光源，全新的EUV LLC聯盟主張使用極紫外激光器技術，也就是EUV光源，直接把技術路線迭代到十納米以下。但是......”
這兩種技術路線，都有嚴重缺陷！
波長越短的光，越容易被吸收！157納米的光源，會被大多數材料強烈吸收，以至於無法到達芯片上！隻有二氟化鈣研磨的鏡頭可以勉強使用，但是這種材料做光學鏡頭，質量太差，壽命也短。
至於EUV光源，那就不用折射原理了，直接加反射鏡片，解決了透鏡吸收光源的問題，但是，這種光刻機屬於全新的產品，研發很難，而且，極紫外光的產生很困難，需要耗費大量的電力。
兩種技術路線，都有很大的問題，接下來用什麼技術路線，非常關鍵！
“嗯，我們開辟新的賽道。”秦川說道：“我們在ArF光刻機的基礎上，鏡頭和光源之間加一層水，通過水的折射作用，把193納米光源降低到134納米。”
什麼？
徐教授驚呆了，倪老也驚呆了。
這不是開玩笑嗎？在精密的光刻機鏡頭上，加一層水？
萬一這層水要是漏了，豈不是會讓光刻機壞掉？萬一水裡有一個氣泡，豈不是會改變光線的路徑，從而導致整個矽片都報廢？